韓國(guó)媒體《ZDNET》曝出，三星電子正加速美國(guó)德州泰勒工廠建設(shè)，計(jì)劃明年一季度量產(chǎn)2納米芯片，劍指全球首家在美實(shí)現(xiàn)該制程量產(chǎn)的半導(dǎo)體巨頭。但40%的良率水平，成為其挑戰(zhàn)臺(tái)積電60%良率紀(jì)錄的最大硬傷。

　三星已將泰勒工廠原定的4納米產(chǎn)線緊急升級(jí)為2納米制程。目前無(wú)塵室施工與設(shè)備選型同步推進(jìn)，供應(yīng)商預(yù)計(jì)明年初進(jìn)駐安裝。而韓國(guó)平澤工廠的1.4納米生產(chǎn)線計(jì)劃恐推遲至2028年落地。

　盡管三星在3納米時(shí)代率先應(yīng)用GAA芯片管技術(shù)，但2納米良率仍落后臺(tái)積電約20個(gè)百分點(diǎn)。行業(yè)分析指出，若無(wú)法在量產(chǎn)前突破良率瓶頸，恐難爭(zhēng)取蘋果、英偉達(dá)等關(guān)鍵客戶訂單。

　三星押注美國(guó)本土化生產(chǎn)，試圖以地緣優(yōu)勢(shì)爭(zhēng)奪政策支持。臺(tái)積電亞利桑那工廠已深耕多年，與美科技企業(yè)建立深度綁定。此次2納米之爭(zhēng)不僅是技術(shù)對(duì)決，更將重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)能格局。

　隨著AI芯片需求激增，兩大巨頭競(jìng)逐已進(jìn)入白熱化階段。三星若如期實(shí)現(xiàn)泰勒工廠量產(chǎn)，將打破臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的壟斷地位，但良率這道坎仍是橫亙眼前的首要挑戰(zhàn)。